Samsung ha presentat de manera oficial una nova memòria DRAM DDR5 de 16 gigabits, que està fabricada amb una tecnologia de 12 nanòmetres. Aquesta peça de silici promet oferir múltiples beneficis quant a consum energètic i rendiment.
La companyia afirma que per produir aquesta memòria va utilitzar un nou material d'alt rendiment, que augmenta la capacitància de les cel·les, així com una tecnologia patentada que millora les característiques crítiques del circuit. De la mateixa manera va fer ús d'una litografia EUV multicapa per augmentar la densitat en un 20 per cent.
Aquesta memòria DRAM DDR5 de 12 nm és capaç d'aconseguir els 7.2 Gbps, això significa que pot processar dues pel·lícules o vídeos 4K de 30 GB en tan sols un segon. A més, les memòries necessiten un 23% menys energia.
Jooyoung Lee, vicepresident executiu de DRAM Product & Technology de Samsung Electronics, afirma que aquesta DRAM serà un factor important per impulsar el mercat. S'espera que la peça serveixi com a base per a operacions més sostenibles en àrees com la informàtica d'última generació, els centres de dades i els sistemes impulsats per Intel·ligència Artificial.
La producció en massa començarà en 2023, i de moment no s'han revelat més detalls sobre les seves especificacions, però segurament més endavant Samsung compartirà més informació.
